IKFW50N65ES5XKSA1, IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKFW50N65ES5XKSA1
IKFW50N65ES5XKSA1, IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat
Основные
вес, г11.34
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
1 190
+
Бонус: 23.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ ОдиночныеБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Основные
вес, г11.34
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияTrenchstop IGBT5 S5
supplier device packagePG-HSIP247-3-2
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
seriesTrenchstopв„ў 5 ->
другие названия товара №FF1200R17IP5P SP001663854
base product numberIKFW50 ->
input typeStandard
Вес и габариты
current - collector (ic) (max)74A
current - collector pulsed (icm)160A
gate charge95nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max127W
switching energy860ВµJ (on), 400ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c19ns/130ns
vce(on) (max) @ vge, ic1.7V @ 15V, 40A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)69ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль