SI1416EDH-T1-BE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N-CHANNEL (D-S)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V N-CHANNEL (D-S)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSC-70-6
серияSI1
время нарастания60 ns
время спада45 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности1.56 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки3.9 A
qg - заряд затвора3.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.4 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль