FS35R12W1T7B11BOMA1
В избранноеВ сравнение

- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Отзывов нет
![FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN] FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]](/wa-data/public/shop/products/77/70/197077/images/231898/231898.300x0.jpg)










