2N5550TAR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N5550TAR
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота4.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
Высота4.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина4.7 mm
другие названия товара №2N5550TAR_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
непрерывный коллекторный ток0.6 A
партномер8008458507
pd - рассеивание мощности625 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки2000
серия2N5550
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаAmmo Pack
упаковка / блокTO-92-3 Kinked Lead
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:02:16
Ширина3.93 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль