Электронные компоненты FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube купить в наличии в интернет-магазине ООО «Телеметрия»

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V proliferation PFC home application

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	450
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PN
серия	FGA3060ADF
pd - рассеивание мощности	176 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	60 A
ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	60 A

Отзывов нет

Кнопки