SI2337DS-T1-E3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1000, корпус: TO236, АБМОП-транзистор -80V Vds 20V Vgs SOT-23
Основные
вес, г0.041
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1000, корпус: TO236, АБМОП-транзистор -80V Vds 20V Vgs SOT-23
Основные
вес, г0.041
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура50 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокSOT-23-3
серияSI2
длина2.9 mm
время нарастания15 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеTrenchFET
pd - рассеивание мощности2.5 W
другие названия товара №SI2337DS-E3
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2.2 A
qg - заряд затвора17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток270 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.3 S
полярность транзистораP-Channel
тип транзистора1 P-Channel
типичное время задержки выключения20 ns
типичное время задержки при включении10 ns
rds on - drain-source resistance270mО© @ 1.2A,10V
transistor polarityP Channel
vds - drain-source breakdown voltage80V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c2.2A
power dissipation-max (ta=25в°c)760mW
Высота 1.45 мм
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль