DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,
В избранноеВ сравнение
![DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,](/wa-data/public/shop/products/33/56/195633/images/230478/230478.970.jpg "DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,")
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Отзывов нет
![IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/66/31/193166/images/228040/228040.300x0.jpg "IRFB3207ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 170A [TO-220AB]")
