APTGT75A60T1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APTGT75A60T1G
Основные
вес, г80
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
13 870
+
Бонус: 277.4 !
Бонусная программа
Итого: 13 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Основные
вес, г80
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокSP-1
длина51.6 mm
pd - рассеивание мощности250 W
диапазон рабочих температур40 C to + 175 C
Вес и габариты
конфигурацияDual
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c100 A
ток утечки затвор-эмиттер600 nA
Высота 11.5 мм
Ширина40.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль