DMN2020UFCL-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
35
+
Бонус: 0.7 !
Бонусная программа
Итого: 35
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки9 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора21.5 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток14 mOhms
серияDMN2020
технологияSi
типичное время задержки при включении3.8 ns
типичное время задержки выключения33 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX1-DFN1616-6
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5.7 ns
время спада6.8 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль