W25Q80DVSNIG TR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Памятькол-во в упаковке: 2500, корпус: SOIC8Флеш-память NOR spiFlash, 8M-bit, 4Kb Uniform Sector
Основные
вес, г0.264
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
55
+
Бонус: 1.1 !
Бонусная программа
Итого: 55
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Памятькол-во в упаковке: 2500, корпус: SOIC8Флеш-память NOR spiFlash, 8M-bit, 4Kb Uniform Sector
Основные
вес, г0.264
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
reach statusREACH Unaffected
supplier device package8-SOIC
minimum operating temperature-40в„ѓ
pin count8
maximum operating temperature+85в„ѓ
seriesSpiFlashВ® ->
automotiveNo
eu rohscompliant
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusUnconfirmed
pcb changed8
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageSOIC N
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
architectureSectored
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:Флеш-память NOR
максимальная рабочая температура:+ 85 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:Memory и Data Storage
производитель:Winbond
серия:w25q80dv
тип продукта:NOR Flash
торговая марка:Winbond
размер фабричной упаковки:2500
упаковка / блок:SOIC-8
maximum operating supply voltage (v)3.6
interface typeSPI
Вес и габариты
коммерческое обозначение:SpiFlash
чувствительный к влажности:Yes
maximum operating frequency (mhz)104
minimum operating supply voltage (v)2.7
typical operating supply voltage (v)3|3.3
напряжение питания - макс.:3.6 V, 25 mA
напряжение питания - мин.:2.7 V
operating supply voltage2.7V ~ 3.6V
организация:1 m x 8
technologyFLASH - NOR
programmabilityYes
тип интерфейса:SPI
memory size8Mb (1M x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
chip density (bit)8M
max. access time (ns)6
operating current (ma)25
programming voltage (v)2.7 to 3.6
block organizationSymmetrical
boot blockYes
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
maximum erase time (s)6/Chip
maximum programming time (ms)3/Page
minimum endurance (cycles)100000
number of bits/word (bit)8
number of words1M
page size256byte
program current (ma)25
sector size4Kbyte x 256
support of page modeNo
timing typeSynchronous
maximum clock frequency104MHz
clock frequency104MHz
memory interfaceSPI
write cycle time - word, page3ms
ширина шины данных:8 bit
максимальная тактовая частота:104 MHz
размер памяти:8 Mbit
byte-program time - tbp15us
pageв programming time - tpp0.8ms
активный ток считывания — макс.:25 mA
тип синхронизации:Synchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль