2SCR502U3T106, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2SCR502U3T106
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3
Дата загрузки
19.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Rohm
Бренд
Rohm
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
500
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
1 A
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
100 mV
непрерывный коллекторный ток
0.5 A
партномер
8005259037
pd - рассеивание мощности
200 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
360 MHz
размер фабричной упаковки
3000
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка / блок
UMT-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:50:57
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26