Параллельная флеш-память NOR, Cypress Semiconductor

Подробное описание

Основные
вес, г	17.12
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Поверхностный монтаж
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

2 240 ₽

– +

Бонус: 44.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 240 ₽

Купить

Параллельная флеш-память NOR, Cypress Semiconductor

Основные
вес, г	17.12
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Поверхностный монтаж
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	56-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	3A991B1A
htsus	8542.32.0071
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	56-TSOP
length	18.5мм
package type	TSOP
minimum operating temperature	-40 °C
width	14.1мм
pin count	56
dimensions	18.5 x 14.1 x 1.05mm
maximum operating temperature	+85 °C
series	GL-S ->
voltage - supply	2.7V ~ 3.6V
minimum operating supply voltage	2.7 V
maximum operating supply voltage	3.6 V
interface type	CFI, Parallel
Вес и габариты
technology	FLASH - NOR
memory size	512Mbit
memory type	Non-Volatile
memory format	FLASH
cell type	NOR
number of words	32м
access time	100ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	60ns
organisation	32M x 16 bit
number of bits per word	16бит
maximum random access time	100нс
Высота	1.05 мм

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

S29GL512S10TFI010, Флеш память, Параллельная NOR, 512 Мбит, 32М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 выво