TPS1100PW
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
| Основные | |
| вес, г | 0.039 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | 8-TSSOP (0.173"", 4.40mm Width) |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 150 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Texas Instruments |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TSSOP-8 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.21.0095 |
| серия | TPS1100 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | 8-TSSOP |
| длина | 4.4 mm |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 10 ns |
| pd - рассеивание мощности | 504 mW |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | TPS1100 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| manufacturer product page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| id - непрерывный ток утечки | 1.27 A |
| qg - заряд затвора | 5.45 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 2 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 2.5 S |
| полярность транзистора | P-Channel |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 13 ns |
| типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.27A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 15V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.7V, 10V |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 5.45nC @ 10V |
| power dissipation (max) | 504mW (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs (max) | +2V, -15V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 250ВµA |
| Высота | 1.2 мм |
| Тип | PMOS Switches |
| Ширина | 3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/61/29/192961/images/227736/227736.300x0.jpg "IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]")
![IRF2204PBF, Транзистор, N-канал 40В 210A авто [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/65/28/192865/images/227571/227571.300x0.jpg "IRF2204PBF, Транзистор, N-канал 40В 210A авто [TO-220AB]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
