MR1A16AVYS35

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 2 Мб (128 КБ x 16) Параллельный 35 нс 44-TSOP2
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
packageTray
6 760
+
Бонус: 135.2 !
Бонусная программа
Итого: 6 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 2 Мб (128 КБ x 16) Параллельный 35 нс 44-TSOP2
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP2
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
memory size2Mb (128K x 16)
memory typeNon-Volatile
memory formatRAM
access time35ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page35ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль