Name: RGS80TS65HRC11, IGBT Single Transistor, 73 A, 1.65 V, 650 V, TO-247N, 3 Pins
SKU: RGS80TS65HRC11

RGS80TS65HRC11, IGBT Single Transistor, 73 A, 1.65 V, 650 V, TO-247N, 3 Pins

Подробное описание

Основные
вес, г	0.45
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

860 ₽

– +

Бонус: 17.2 !

Бонусная программа

Итого: 860 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH

Основные
вес, г	0.45
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247N-3
pd - рассеивание мощности	272 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	73 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA

Отзывов нет

Кнопки