M95010-WMN6TP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Микросхемы / Микросхемы памяти / EEPROM памятькорпус: SO-8, инфо: Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 10МГц 8SOEEPROM от 2,5 В до 5,5 В 1k
Основные
вес, г0.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
38
+
Бонус: 0.76 !
Бонусная программа
Итого: 38
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Микросхемы / Микросхемы памяти / EEPROM памятькорпус: SO-8, инфо: Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 10МГц 8SOEEPROM от 2,5 В до 5,5 В 1k
Основные
вес, г0.3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаEEPROM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаEEPROM
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокSOIC-8
eccnEAR99
htsus8542.32.0051
серияM95010-W
рабочий ток источника питания2 mA
reach statusREACH Unaffected
supplier device package8-SO
длина5 mm (Max)
рабочее напряжение питания3.3 V, 5 V
напряжение питания - макс.2 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.2.5 V
тип интерфейсаSerial, 4-Wire, SDI, SPI
base product numberM95010 ->
voltage - supply2.5V ~ 5.5V
Вес и габариты
technologyEEPROM
организация128 x 8
размер памяти1 kbit
memory size1Kb (128 x 8)
максимальная тактовая частота5 MHz
memory typeNon-Volatile
memory formatEEPROM
время доступа35 ns
программирующее напряжение2.5 V to 5.5 V
сохранение данных40 Year
clock frequency20MHz
memory interfaceSPI
write cycle time - word, page5ms
Высота 1.65 м
Ширина4 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль