Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс, 36-TFBGA (6 x 8)

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray

1 410 ₽

– +

Бонус: 28.2 !

Бонусная программа

Итого: 1 410 ₽

Купить

Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс, 36-TFBGA (6 x 8)

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	36-TFBGA
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	480
тип продукта	SRAM
торговая марка	ISSI
упаковка	Tray
упаковка / блок	BGA-36
чувствительный к влажности	Yes
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	IS61WV5128EDBLL
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	36-TFBGA (6x8)
напряжение питания - макс.	35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.4 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.4V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
организация	512 k x 8
размер памяти	4 Mbit
тип памяти	SDR
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	10 ns
access time	10ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	10ns
Тип	Asynchronous

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

IS61WV5128EDBLL-10BLI