RN1705,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1705,LF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1705,LF, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж USV
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0062
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTLP185 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
партномер8006227578
power - max200mW
resistor - base (r1)2.2kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
rohs statusRoHS non-compliant
supplier device packageUSV
transistor type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:52:54
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль