IS61WV5128BLL-10TLI, (512K x 8, 2.5/3.3V), Статическая память 4мБит 512K x 8, 10нс, 2.5-3.3В
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: TSOP44-II Статическая RAM, ISSI В продуктах со статической RAM ISSI используется высокопроизводительная технология CMOS. Существует широкий спектр статических ОЗУ, которые включают высокоскоростную асинхронную SRAM 5 В, высокоскоростную асинхронную SRAM с низким энергопотреблением, асинхронные SRAM с низким энергопотреблением 5 В, статическое ОЗУ CMOS сверхнизкого энергопотребления и асинхронные статические ОЗУ PowerSaver TM с низким энергопотреблением. Устройства ISSI SRAM бывают разного напряжения, размера памяти и организации. Они подходят для таких приложений, как кэш-память ЦП, встроенные процессоры, жесткие диски и переключатели на промышленную электронику.
Отзывов нет













![КТ816А, Биполярный транзистор, PNP, -40В, -3А, 25Вт, 3МГц, h21e=25…275 [КТ-27 / TO-126] КТ816А, Биполярный транзистор, PNP, -40В, -3А, 25Вт, 3МГц, h21e=25…275 [КТ-27 / TO-126]](/wa-data/public/shop/products/18/72/27218/images/37719/37719.300x0.jpg)

![IRFS4410ZTRLPBF, Транзистор, N-канfk 100В 97A [D2-Pak] IRFS4410ZTRLPBF, Транзистор, N-канfk 100В 97A [D2-Pak]](/wa-data/public/shop/products/60/33/193360/images/228307/228307.300x0.jpg)
![КТ815А, Биполярный транзистор, NPN, 40В, 1.5А, 10Вт, КТ-27 / TO-126] КТ815А, Биполярный транзистор, NPN, 40В, 1.5А, 10Вт, КТ-27 / TO-126]](/wa-data/public/shop/products/13/72/27213/images/37714/37714.300x0.jpg)






