IS61WV51216EDBLL-10TLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Memory ICs\SRAMSRAM - микросхема асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
2 390
+
Бонус: 47.8 !
Бонусная программа
Итого: 2 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Memory ICs\SRAMSRAM - микросхема асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
voltage - supply2.4V ~ 3.6V
interface typeParallel
Вес и габариты
operating supply voltage2.4V ~ 3.6V
technologySRAM - Asynchronous
memory size8Mb (512K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль