TIP42A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics TIP42A
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Высота9.15 mm
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:75hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:6A; Current Ic Continuous a Max:6A; Current Ic hFE:300mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Hfe Min:30; No. of Transistors:1; Power Dissipation Ptot Max:65W; Voltage Vcbo:60V
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Высота9.15 mm
Высота 9.15 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberTIP42 ->
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.5 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current6 A
current - collector cutoff (max)700ВµA
current - collector (ic) (max)6A
dc collector/base gain hfe min15
dc current gain hfe max75
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce15 @ 3A, 4V
длина10.4 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity1000
height9.15 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.75
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
length10.4 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage-60 V
maximum dc collector current6 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation65 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain15
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток6 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
package typeTO-220
packagingTube
партномер8002036977
pd - power dissipation65 W
pd - рассеивание мощности65 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V Transistors
серияTIP42A
supplier device packageTO-220AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 600mA, 6A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки14:04:33
Ширина4.6 мм
width4.6 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль