IS61C6416AL-12TLI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 5В, 12нс, TSOP44 II, параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61C6416AL-12TLI
SRAM - ИС асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельный 12 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г3.33
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
960
+
Бонус: 19.2 !
Бонусная программа
Итого: 960
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - ИС асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельный 12 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г3.33
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
pin count44
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed44
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-II
voltage - supply4.5V ~ 5.5V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.41
package height1.05(Max)
package length18.52(Max)
package width10.29(Max)
maximum operating supply voltage (v)5.5
process technologyCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
technologySRAM - Asynchronous
number of ports1
memory size1Mb (64K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
chip density (bit)1M
max. access time (ns)12
operating current (ma)45
number of bits/word (bit)16
number of words64K
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)16
access time12ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page12ns
data rate architectureSDR
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль