Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

Подробное описание

Основные
вес, г	0.0085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.0085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	UDFN-6
серия	SSM6J503
длина	2 mm
коммерческое обозначение	U-MOSVI
pd - рассеивание мощности	1 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	6 A
qg - заряд затвора	12.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	89.6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	1 P-Channel
Высота	0.75 мм
Ширина	2 мм

Отзывов нет

Кнопки