IS42S32800J-7BLI, DRAM, 8М х 32бита, 5.4нс, интерфейс LVTTL, TFBGA-90

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS42S32800J-7BLI
Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAMDRAM 256 МБ, 3,3 В, SDRAM, 8 МБ x 32, 143 МГц, 90 шаров BGA (8 мм x 13 мм) RoHS, IT
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 850
+
Бонус: 37 !
Бонусная программа
Итого: 1 850
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAMDRAM 256 МБ, 3,3 В, SDRAM, 8 МБ x 32, 143 МГц, 90 шаров BGA (8 мм x 13 мм) RoHS, IT
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case90-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура85 C
минимальная рабочая температура-40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки240
тип продуктаDRAM
торговая маркаISSI
упаковка / блокBGA-90
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0024
серияIS42S32800J
reach statusREACH Unaffected
supplier device package90-TFBGA (8x13)
линейка продукцииIS42S
количество выводов90вывод(-ов)
напряжение питания - макс.170 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySDRAM
организация8 M x 32
ширина шины данных32 bit
размер памяти256 Mbit
memory size256Mb (8M x 32)
максимальная тактовая частота143 MHz
memory typeVolatile
тип интерфейса исLVTTL
memory formatDRAM
время доступа5.4нс
access time5.4ns
clock frequency143MHz
memory interfaceParallel
тактовая частота143МГц
стиль корпуса микросхемы памятиTFBGA
конфигурация памяти dram8М x 32бит
номинальное напряжение питания3.3В
плотность dram256Мбит
тип dramSDR
ТипSDRAM
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль