FF100R12KS4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF100R12KS4
Основные
вес, г340
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
23 600
+
Бонус: 472 !
Бонусная программа
Итого: 23 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Основные
вес, г340
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок62 mm
длина106.4 mm
pd - рассеивание мощности780 W
другие названия товара №FF100R12KS4HOSA1 SP000100705
Вес и габариты
rohsN
конфигурацияDual
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c150 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Высота 30.5 мм
Ширина61.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль