IS42S32800J-7BLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryПамять SDRAM IC 256 МБ (8M x 32) Параллельный 143 МГц 5,4 нс 90-TFBGA (8x13)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
2 230
+
Бонус: 44.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryПамять SDRAM IC 256 МБ (8M x 32) Параллельный 143 МГц 5,4 нс 90-TFBGA (8x13)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case90-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки240
тип продуктаDRAM
торговая маркаISSI
упаковка / блокBGA-90
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0024
серияIS42S32800J
reach statusREACH Unaffected
supplier device package90-TFBGA (8x13)
линейка продукцииIS42S
количество выводов90вывод(-ов)
напряжение питания - макс.170 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySDRAM
организация8 M x 32
ширина шины данных32 bit
размер памяти256 Mbit
memory size256Mb (8M x 32)
максимальная тактовая частота143 MHz
memory typeVolatile
тип интерфейса исLVTTL
memory formatDRAM
время доступа6.5 ns
access time5.4ns
clock frequency143MHz
memory interfaceParallel
тактовая частота143МГц
стиль корпуса микросхемы памятиTFBGA
конфигурация памяти dram8М x 32бит
номинальное напряжение питания3.3В
плотность dram256Мбит
тип dramSDR
ТипSDRAM
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль