Name: MJE172G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE172G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.68
Высота	11.04 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

300 ₽

– +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, PNP, 80V, TO-225-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:12hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.68
Высота	11.04 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	100 V
collector-emitter saturation voltage	1.7 V
collector- emitter voltage vceo max	80 V
configuration	Single
continuous collector current	3 A
dc collector/base gain hfe min	50
длина	7.74 mm
emitter- base voltage vebo	7 V
factory pack quantity	500
gain bandwidth product ft	50 MHz
height	11.04 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
конфигурация	Single
length	7.74 mm(Max)
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	3 A
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector emitter voltage	-80 V
maximum dc collector current	3 A
maximum emitter base voltage	7 V
maximum operating frequency	10 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	12.5 W
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	50
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
непрерывный коллекторный ток	3 A
number of elements per chip	1
package / case	TO-225-3
package type	TO-225AA
packaging	Bulk
партномер	8002981934
pd - power dissipation	1.5 W
pd - рассеивание мощности	1.5 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	50 MHz
размер фабричной упаковки	500
rohs	Details
series	MJE172
серия	MJE172
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	PNP
transistor type	PNP
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-225-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:45:39
Ширина	2.66 мм
width	2.66 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJE172G MJE172