Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - синхронная, микросхема памяти ZBT, 4 МБ (256K x 18), параллельная, 250 МГц, 100-TQFP (20x14)

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 100В°C (TJ)
package	Tray

2 770 ₽

– +

Бонус: 55.4 !

Бонусная программа

Итого: 2 770 ₽

Купить

Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - синхронная, микросхема памяти ZBT, 4 МБ (256K x 18), параллельная, 250 МГц, 100-TQFP (20x14)

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 100В°C (TJ)
package	Tray
package / case	100-LQFP
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	72
тип продукта	SRAM
торговая марка	GSI Technology
упаковка	Tray
упаковка / блок	TQFP-100
htsus	8542.32.0041
серия	GS840Z18CGT
supplier device package	100-TQFP (20x14)
коммерческое обозначение	NBT SRAM
напряжение питания - макс.	165 mA, 200 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.3 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Synchronous, ZBT
организация	256 k x 18
размер памяти	4 Mbit
тип памяти	SDR
memory size	4Mb (256K x 18)
максимальная тактовая частота	250 MHz
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	5.5 ns
clock frequency	250MHz
memory interface	Parallel
Тип	NBT Pipeline/Flow Through

Отзывов нет

Кнопки