DMP4050SSD-13
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор МОП-транзистор,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | P |
| configuration | Dual |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 2500 |
| forward transconductance - min | 14 S |
| id - continuous drain current | 4 A |
| id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| конфигурация | Dual |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 14 S |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum continuous drain current (a) | 5.2 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 50 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 40 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2140 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 2 Channel |
| number of elements per chip | 2 |
| package / case | SO-8 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| pd - power dissipation | 1.25 W |
| pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| pin count | 8 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| ppap | No |
| product | MOSFET Small Signal |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| qg - gate charge | 6.9 nC |
| qg - заряд затвора | 6.9 nC |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| rds on - drain-source resistance | 38 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 38 mOhms |
| series | DMP40 |
| серия | DMP40 |
| standard package name | SOP |
| subcategory | MOSFETs |
| supplier package | SO |
| supplier temperature grade | Automotive |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 2 P-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | P-Channel |
| transistor type | 2 P-Channel |
| typical fall time (ns) | 12.6 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 13.9 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 6.9 4.5V|13.9 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 674 20V |
| typical rise time (ns) | 3.1 |
| typical turn-off delay time (ns) | 31.5 |
| typical turn-on delay time (ns) | 1.9 |
| упаковка / блок | SO-8 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 40 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26