FM28V100-TG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FRAM (Ferroelectric RAM) ИС памяти 1 Мб (128K x 8) Параллельный 90 нс 32-TSOP I
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
4 110
+
Бонус: 82.2 !
Бонусная программа
Итого: 4 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
FRAM (Ferroelectric RAM) ИС памяти 1 Мб (128K x 8) Параллельный 90 нс 32-TSOP I
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case32-TFSOP (0.465"", 11.80mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
video fileCypress Nonvolatile RAMs
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP I
pin count32
packagingTray
seriesF-RAMв„ў ->
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-I
base product numberFM28V100 ->
voltage - supply2V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)3.6
interface typeParallel
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFRAM (Ferroelectric RAM)
memory size1Mb (128K x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatFRAM
chip density (bit)1M
max. access time (ns)105
operating current (ma)12
organization128Kx8
density range (bit)256K to 8M
access time90ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page90ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль