PSMN027-100PS.127, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 37А; Idm: 148А; 103Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PSMN027-100PS,127
Кнопки, переключатели, разъемы, реле Зажимы "Крокодил" Nexperia PSMN027-100PS.127, Транзистор: N-MOSFET ...
Nexperia B.V.
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
automotiveNo
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 37А; Idm: 148А; 103Вт
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel mode:Enhancement
channel typeN
configurationSingle
Дата загрузки18.04.2024
eccn (us)ear99
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity: factory pack quantity:50
id - continuous drain current:37 A
категорияКнопки, переключатели, разъемы, реле/Зажимы "Крокодил"
manufacturer:Nexperia
maximum continuous drain current (a)37
maximum drain source resistance (mohm)26.8@10V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source voltage (v)20
maximum operating temperature:+175 C
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation (mw)103000
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
mounting style:Through Hole
number of channels:1 Channel
number of elements per chip1
package / case:TO-220-3
packagingRail
packaging:Tube
партномер8021464943
part # aliases:9,34064E+11
part statusactive
pcb changed3
pd - power dissipation:103 W
pin count3
ppapNo
product categoryPower MOSFET
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:30 nC
rds on - drain-source resistance:26.8 mOhms
standard package nameTO
subcategory:MOSFETs
supplier packageTO-220AB
tabTab
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
typical fall time (ns)08.09.2024
typical gate charge @ 10v (nc)30|24
typical gate charge @ vgs (nc)30@10V|24@10V
typical input capacitance @ vds (pf)1624@50V
typical rise time (ns)11.04.2024
typical turn-off delay time (ns)29.06.2024
typical turn-on delay time (ns)14.04.2024
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
вес, г1.95
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2 V
Время загрузки1:01:00
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль