Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	9.5mО© @ 15.6A,10V
transistor polarity	2 N Channel(Half Bridge)
vds - drain-source breakdown voltage	30V

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

► Купить SIZ340DT-T1-GE3 в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

★ Цена: 140 руб.

Почему выбирают нас:

☎ Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	9.5mО© @ 15.6A,10V
transistor polarity	2 N Channel(Half Bridge)
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	2.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	30A,40A
power dissipation-max (ta=25в°c)	16.7W,31W

Отзывов нет

Кнопки

SIZ340DT-T1-GE3