Name: RGW00TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
SKU: RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	6.35
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

770 ₽

– +

Бонус: 15.4 !

Бонусная программа

Итого: 770 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ ОдиночныеБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Основные
вес, г	6.35
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PFM
pd - рассеивание мощности	89 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	45 A
ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	45 A

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

RGW00TK65GVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)