Подложка ситалл СТ32-1 1,0 х 48 х 60 мм 1 шт
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
СТ-32-1 подложка ситалловая предназначена для изготовления толсто- и тонкопленочных интегральных микросхем и интегральных схем, работающих в СВЧ диапазоне. Ситалловые подложки СТ-32-1 применяются в радиоэлектронной промышленности и других отраслях электронной промышленности.
Технические характеристики СТ-32-1:
Плотность - 3100 кг/м3.
Диэлектрическая проницаемость при частоте 10 ГГц - от 9,7 до 10.
Предел прочности при статическом изгибе ситалловой подложки СТ-32-1 - не менее 100 МПа.
Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 10 ГГц - 0,0005.
Коэффициент термического линейного расширения 32 10-7 С-1.
Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в интервале от +20° С до +80° С при частоте 10 ГГц - 60.
Коэффициент теплопроводности при температуре +100° С - 1,67 Вт/м ° С.
Водопоглощение СТ-32-1 - не более 0,02%.
Обработка - двухсторонняя полировка.
Чистота поверхности - 13 класс; 14 класс.
Габаритные размеры - 60x48x1 мм.
Ситалловые подложки также применяются для изоляции токоведущих частей, треб
Технические характеристики СТ-32-1:
Плотность - 3100 кг/м3.
Диэлектрическая проницаемость при частоте 10 ГГц - от 9,7 до 10.
Предел прочности при статическом изгибе ситалловой подложки СТ-32-1 - не менее 100 МПа.
Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 10 ГГц - 0,0005.
Коэффициент термического линейного расширения 32 10-7 С-1.
Температурный коэффициент диэлектрической проницаемости в интервале от +20° С до +80° С при частоте 10 ГГц - 60.
Коэффициент теплопроводности при температуре +100° С - 1,67 Вт/м ° С.
Водопоглощение СТ-32-1 - не более 0,02%.
Обработка - двухсторонняя полировка.
Чистота поверхности - 13 класс; 14 класс.
Габаритные размеры - 60x48x1 мм.
Ситалловые подложки также применяются для изоляции токоведущих частей, треб
Отзывов нет
