- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Нитрид алюминия обладает чрезвычайно высокой теплопроводностью (170-230 Вт/мК) и изоляционными свойствами. Подложки AlN могут стать лучшим решением в электронике, где требуются строгие условия. Например, при изготовлении силовых модулей (MOSFET, IGBT), светодиодных корпусов, подложек лазерных диодов, кристаллов. В качестве теплоотводящих подложек в силовой электронике, термоэлектрических модулей.
Высокая теплопроводность (170-230 Вт/мК), до 9,5 раз больше, чем у глинозема;
Коэффициент теплового расширения аналогичен кремнию (Si). Это помогает достичь высокой надежности Si-чипа при термоциклировании;
Более высокая электрическая изоляция и меньшая диэлектрическая проницаемость;
Повышенная механическая прочность (450 МПа);
Превосходная коррозионная стойкость к расплавленному металлу;
Очень высокая чистота, не токсичен
Высокая теплопроводность (170-230 Вт/мК), до 9,5 раз больше, чем у глинозема;
Коэффициент теплового расширения аналогичен кремнию (Si). Это помогает достичь высокой надежности Si-чипа при термоциклировании;
Более высокая электрическая изоляция и меньшая диэлектрическая проницаемость;
Повышенная механическая прочность (450 МПа);
Превосходная коррозионная стойкость к расплавленному металлу;
Очень высокая чистота, не токсичен
Отзывов нет





![BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323] BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]](/wa-data/public/shop/products/73/50/195073/images/230073/230073.300x0.jpg)







