AlN KC304000-TO3-2.05N, Подложка керамическая теплопроводящая AlN 180 Вт/мК, 17кВ/мм для ТО-3 0,5х27
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Теплопроводная керамика на основе нитрида алюминия AlN Предназначена для электрической изоляции и отвода тепла от тепловыделяющих элементов электронных устройств, а также нагревающихся при работе конструкций и узлов. Применяются для изолирования посадочных поверхностей полупроводниковых приборов при монтаже, а также как диэлектрический материал в электронике, электротехнике и теплотехнике. Используются вместо подложек из оксида алюминия (Al2O3) и оксида бериллия (BeO) для максимального теплоотвода. Технические характеристикиНаименование показателя
Значение
Теплопроводность, Вт/(м*К)
180
Напряжение пробоя, кВ/мм
17
Прочность на изгиб, МПа
350
Модуль эластичности, ГПа
320
Влагопоглощение, %
0
Значение
Теплопроводность, Вт/(м*К)
180
Напряжение пробоя, кВ/мм
17
Прочность на изгиб, МПа
350
Модуль эластичности, ГПа
320
Влагопоглощение, %
0
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![2N3904-G, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.625Вт [TO-92]](/wa-data/public/shop/products/62/31/283162/images/322925/322925.300x0.jpg "2N3904-G, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.625Вт [TO-92]")
![IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]](/wa-data/public/shop/products/27/76/27627/images/38318/38318.300x0.jpg "IKW50N60TFKSA1 (K50T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 50А [PG-TO-247-3]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
