Al2O3 KC304000-TO-3-2.063A, Подложка керамическая теплопроводящая Al2O3 25 Вт/мК,25кВ/мм для ТО-3 0,
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Теплопроводная керамика на основе оксида алюминия Al2O3 Предназначена для электрической изоляции и отвода тепла от тепловыделяющих элементов электронных устройств, а также нагревающихся при работе конструкций и узлов. Применяются для изолирования посадочных поверхностей полупроводниковых приборов при монтаже, а также как диэлектрический материал в электронике, электротехнике и теплотехнике. Используются вместо слюды, силиконовых и керамико-полимерных (КПТД) прокладок для улучшенного теплоотвода и изоляции Технические характеристикиНаименование показателя
Значение
Теплопроводность, Вт/(м*К)
25
Напряжение пробоя, кВ/мм
25
Прочность на изгиб, МПа
450
Модуль эластичности, ГПа
340
Влагопоглощение, %
0
Значение
Теплопроводность, Вт/(м*К)
25
Напряжение пробоя, кВ/мм
25
Прочность на изгиб, МПа
450
Модуль эластичности, ГПа
340
Влагопоглощение, %
0
Отзывов нет


![STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP] STP4NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 4A [TO-220FP]](/wa-data/public/shop/products/29/10/201029/images/234669/234669.300x0.jpg)









