MMBT2222ALT1HTSA1, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MMBT2222ALT1HTSA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
другие названия товара №
MMBT 2222A LT1 SP000011174
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
непрерывный коллекторный ток
600 mA
партномер
8001469441
pd - рассеивание мощности
330 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
300 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
MMBT2222
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка / блок
SOT-23-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
3:16:35
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26