Name: MJE171G, Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
Brand: ON Semiconductor***
SKU: MJE171G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE171G, Bipolar Transistors - BJT 3A 60V ...

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

240 ₽

– +

Бонус: 4.8 !

Бонусная программа

Итого: 240 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 60V, TO-225-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:12hFE; RF Transistor Case:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:MJxxxx Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Transistor Case Style:TO-225

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
collector- base voltage vcbo	80 V
collector-emitter saturation voltage	1.7 V
collector- emitter voltage vceo max	60 V
configuration	Single
continuous collector current	3 A
dc collector/base gain hfe min	50
eccn (us)	ear99
emitter- base voltage vebo	7 V
eu rohs	compliant
factory pack quantity	500
gain bandwidth product ft	50 MHz
height	11.04 mm(Max)
hts	8541.29.00.95
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
length	7.74 mm(Max)
manufacturer	ON Semiconductor
material	Si
maximum base emitter saturation voltage (v)	1.5@150mA@1.5A\|2@600mA@3A
maximum collector base voltage (v)	80
maximum collector cut-off current (na)	100000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.9@150mA@1.5A\|0.3@50mA@500mA\|1.7@600mA@3A
maximum collector-emitter voltage (v)	60
maximum dc collector current	3 A
maximum dc collector current (a)	3
maximum emitter base voltage (v)	7
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	12500
maximum transition frequency (mhz)	50(Min)
military	No
minimum dc current gain	50@100mA@1V\|12@1.5A@1V\|30@500mA@1V
minimum operating temperature	-65 C
minimum operating temperature (°c)	-65
mounting	Through Hole
mounting style	Through Hole
number of elements per chip	1
package / case	TO-225-3
package height	11.04(Max)
package length	7.74(Max)
package width	2.66(Max)
packaging	Box
партномер	8006304106
part status	active
pcb changed	3
pd - power dissipation	1.5 W
pin count	3
product category	Bipolar Power
rohs	Details
series	MJE171
supplier package	TO-225
tab	Tab
transistor polarity	PNP
type	PNP
Время загрузки	0:53:33
width	2.66 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)MJE171G