MJD45H11RLG, Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:MJD45H11RLG
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
automotive
No
configuration
Single
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant with Exemption
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape
Gull-wing
material
Si
maximum base emitter saturation voltage (v)
1.5 0.8A 8A
maximum collector-emitter saturation voltage (v)
1 0.4A 8A
maximum collector-emitter voltage (v)
80
maximum dc collector current (a)
8
maximum emitter base voltage (v)
5
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
1750
minimum dc current gain
60 2A 1V|40 4A 1V
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
1
operating junction temperature (°c)
-55 to 150
packaging
Tape and Reel
партномер
8003326787
part status
Active
pcb changed
2
pin count
3
ppap
No
product category
Bipolar Power
standard package name
TO-252
supplier package
DPAK
tab
Tab
type
PNP
Время загрузки
1:29:18
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26