TP2535N3-G, Транзистор P-МОП, -350В, -400мА, 740мВт, TO92
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TP2535N3-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 350V 25Ohm
| Информация о производителе | |
| Производитель | Microchip Technology |
| Бренд | Microchip Technology |
| Основные | |
| base product number | TP2535 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 86mA (Tj) |
| Дата загрузки | 07.04.2024 |
| длина | 5.21 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 350V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 86 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 125pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Кнопки, переключатели, разъемы, реле/Разъемы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| партномер | 8002510583 |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 740mW (Ta) |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 25Ohm @ 100mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 25 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| типичное время задержки выключения | 20 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| Тип | FET |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 350 V |
| вес, г | 0.22 |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 10 ns |
| время спада | 10 ns |
| Время загрузки | 18:49:12 |
| Высота | 5.33 mm |
| Ширина | 4.19 мм |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
