IRFD220PBF, Trans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFD220PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
| Информация о производителе | |
| Производитель | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. |
| Бренд | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. |
| Основные | |
| base product number | IRFD220 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 800mA (Ta) |
| Дата загрузки | 07.04.2024 |
| drain to source voltage (vdss) | 200V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet feature | - |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 14nC @ 10V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 260pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Кнопки, переключатели, разъемы, реле/Разъемы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 0.6 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Vishay Siliconix |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| packaging | Tube |
| партномер | 8003193643 |
| part status | active |
| pd - рассеивание мощности | 1 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 1W (Ta) |
| qg - заряд затвора | 14 nC |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| rds on (max) @ id, vgs | 800mOhm @ 480mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | - |
| серия | IRFD |
| supplier device package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 7.2 ns |
| типичное время задержки выключения | 19 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | DIP-4 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 22 ns |
| время спада | 13 ns |
| Время загрузки | 18:22:12 |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
