STP11NM60, Транзистор: N-MOSFET

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP11NM60
Кнопки, переключатели, разъемы, реле Кабельные наконечники, клеммники и клеммы Клеммники ST Microelectronics STP11NM60, Транзистор: N-MOSFET
STMicroelectronics
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberSTP11 ->
780
+
Бонус: 15.6 !
Бонусная программа
Итого: 780
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 650V 11A (Tc) 160W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberSTP11 ->
channel mode:Enhancement
channel typeN Channel
configuration:Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c11A (Tc)
Дата загрузки19.04.2024
drain source on state resistance0.4Ом
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
fall time:11 ns
fet typeN-Channel
forward transconductance - min:5.2 S
gate charge (qg) (max) @ vgs30nC @ 10V
htsus8541.29.0095
id - continuous drain current:11 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds1000pF @ 25V
категорияКнопки, переключатели, разъемы, реле/Кабельные наконечники, клеммники и клеммы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораThrough Hole
mounting style:Through Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение истока-стока vds600В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока11А
number of channels:1 Channel
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
package / case:TO-220-3
packaging:Tube
партномер8022450166
pd - power dissipation:160 W
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation160Вт
power dissipation (max)160W (Tc)
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:30 nC
рассеиваемая мощность160Вт
rds on - drain-source resistance:450 mOhms
rds on (max) @ id, vgs450mOhm @ 5.5A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rise time:20 ns
rohs statusROHS3 Compliant
seriesMDmeshв„ў ->
series:STP11NM60
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.4Ом
стиль корпуса транзистораTO-220AB
subcategory:MOSFETs
supplier device packageTO-220AB
technologyMOSFET (Metal Oxide)
technology:Si
tradename:MDmesh
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
type:MOSFET
typical turn-off delay time:6 ns
typical turn-on delay time:20 ns
vds - drain-source breakdown voltage:600 V
вес, г02.01.2024
vgs - gate-source voltage:-30 V, +30 V
vgs (max)В±25V
vgs th - gate-source threshold voltage:5 V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Время загрузки22:15:35
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль