IS61WV25616BLL-10TLI, SRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAMЧип SRAM, асинхронный, одиночный, 2,5 В / 3,3 В, 4 Мбит, 256 КБ x 16, 10 нс, 44-контактный TSOP-II
Отзывов нет
![Транзистор КП103И1, P, 0,021, TO-92; транз КП103И1 \P\0,021\TO-92\](/wa-data/public/shop/products/99/17/291799/images/336253/336253.300x0.jpg "Транзистор КП103И1, P, 0,021, TO-92; транз КП103И1 \P\0,021\TO-92\")
![IRF7842PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А [SO-8]](/wa-data/public/shop/products/73/24/192473/images/227092/227092.300x0.jpg "IRF7842PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А [SO-8]")
![IRL2505PBF, Транзистор, N-канал 55В 104А [TO-220AB]](/wa-data/public/shop/products/02/32/193202/images/228089/228089.300x0.jpg "IRL2505PBF, Транзистор, N-канал 55В 104А [TO-220AB]")
