IS61C256AL-12JLI, Интегральная микросхема памяти SRAM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61C256AL-12JLI
SRAM - ИС асинхронной памяти 256 КБ (32 КБ x 8) Параллельный 12 нс 28-SOJ
Основные
вес, г0.2
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - ИС асинхронной памяти 256 КБ (32 КБ x 8) Параллельный 12 нс 28-SOJ
Основные
вес, г0.2
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTube
package / case28-BSOJ (0.300"", 7.62mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package28-SOJ
pin count28
eu rohscompliant
lead shapeJ-Lead
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed28
standard package nameSOJ
supplier packageSOJ
voltage - supply4.5V ~ 5.5V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.41
package height2.67(Max)
package length18.54(Max)
package width7.75(Max)
maximum operating supply voltage (v)5.5
process technologyCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
technologySRAM - Asynchronous
number of ports1
memory size256Kb (32K x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
chip density (bit)256K
max. access time (ns)12
operating current (ma)40
number of bits/word (bit)8
number of words32k
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)15
access time12ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page12ns
data rate architectureSDR
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль