IS43LR32800G-6BLI, DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS43LR32800G-6BLI
Memory\RAM\DRAM Chips (Dynamic Random Access Memory)DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
1 470
+
Бонус: 29.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Memory\RAM\DRAM Chips (Dynamic Random Access Memory)DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки240
тип продуктаDRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTFBGA-90
серияIS43LR32800G
рабочее напряжение питания1.8 V
коммерческое обозначениеRLDRAM2
pin count90
напряжение питания - макс.130 mA, 1.95 V
напряжение питания - мин.1.7 V
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeBall
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusNRND
pcb changed90
ppapNo
standard package nameBGA
supplier packageTFBGA
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)1.95
interface typeLVCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)1.7
typical operating supply voltage (v)1.8
организация8 M x 32
ширина шины данных32 bit
размер памяти256 Mbit
максимальная тактовая частота166 MHz
время доступа6 ns
chip density (bit)256M
operating current (ma)130
organization8Mx32
number of bits/word (bit)32
maximum clock rate (mhz)166
dram typeMobile-DDR SDRAM
maximum access time (ns)8|5.5
number of i/o lines (bit)32
number of internal banks4
number of words per bank2M
ТипSDRAM - DDR1
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль