TTD1409B,S4X, Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=25W F=1MHZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TTD1409B,S4X
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TTD1409B,S4X, Bipolar Transistors - BJT Pb-F ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.07.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PWR MOS PD=25W F=1MHZ
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.07.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8005269957
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки50
серияTTD1409B
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-126N-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки23:56:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль