Name: TTC3710B,S4X, Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors Silicn NPN Epitaxial
Brand: Toshiba
SKU: TTC3710B,S4X

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TTC3710B,S4X, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

480 ₽

– +

Бонус: 9.6 !

Бонусная программа

Итого: 480 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:	80 V
collector-emitter saturation voltage:	160 mV
collector- emitter voltage vceo max:	80 V
configuration:	Single
continuous collector current:	15 A
dc current gain hfe max:	240 V
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	50
gain bandwidth product ft:	80 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Toshiba
maximum dc collector current:	12 A
maximum operating temperature:	+150 C
mounting style:	Through Hole
package / case:	TO-220-3
packaging:	Tube
партномер	8021607210
pd - power dissipation:	30 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	23:55:25

Отзывов нет

Кнопки

Теги: