Name: TTA1943(Q), Bipolar Transistors - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
Brand: Toshiba
SKU: TTA1943(Q)

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TTA1943(Q), Bipolar Transistors - BJT PNP ...

Подробное описание

790 ₽

– +

Бонус: 15.8 !

Бонусная программа

Итого: 790 ₽

Купить

Биполярный (BJT) транзистор PNP 230V 15A 30MHz 150W сквозное отверстие TO-3P (L)

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	TCR3DG ->
collector-emitter breakdown voltage	230V
current - collector cutoff (max)	5ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	15A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	80 @ 1A, 5V
eccn	EAR99
frequency - transition	30MHz
htsus	8541.29.0075
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
maximum dc collector current	15A
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-3PL
packaging	Tube
партномер	8006221882
part status	Active
pd - power dissipation	150W
power - max	150W
rohs status	RoHS Compliant
series	-
supplier device package	TO-3P(L)
transistor type	PNP
vce saturation (max) @ ib, ic	3V @ 800mA, 8A
voltage - collector emitter breakdown (max)	230V
Время загрузки	23:55:31

Отзывов нет

Кнопки

Теги: