TPH1110FNH,L1Q, транзистор Si N-канал 250В 10А 95мОм SOP8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TPH1110FNH,L1Q
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba TPH1110FNH,L1Q, транзистор Si N-канал 250В ...
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
транзисторы биполярные импортныеMOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
current - continuous drain (id) @ 25в°c10A(Ta)
drain to source voltage (vdss)250V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet feature-
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs11nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1100pF @ 100V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerToshiba Semiconductor and Storage
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C(TJ)
package / case8-PowerVDFN
packagingCut Tape(CT)
партномер8028967249
part statusActive
power dissipation (max)1.6W(Ta), 57W(Tc)
rds on (max) @ id, vgs112 mOhm @ 5A, 10V
seriesU-MOSVIII-H
supplier device package8-SOP Advance(5x5)
technologyMOSFET(Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 300ВµA
Время загрузки23:47:07
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль