TPH1110FNH,L1Q, транзистор Si N-канал 250В 10А 95мОм SOP8
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:TPH1110FNH,L1Q
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
транзисторы биполярные импортныеMOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
Дата загрузки
12.02.2024
Информация о производителе
Производитель
Toshiba
Бренд
Toshiba
Основные
current - continuous drain (id) @ 25в°c
10A(Ta)
drain to source voltage (vdss)
250V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
fet feature
-
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
11nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds
1100pF @ 100V
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer
Toshiba Semiconductor and Storage
mounting type
Surface Mount
operating temperature
150В°C(TJ)
package / case
8-PowerVDFN
packaging
Cut Tape(CT)
партномер
8028967249
part status
Active
power dissipation (max)
1.6W(Ta), 57W(Tc)
rds on (max) @ id, vgs
112 mOhm @ 5A, 10V
series
U-MOSVIII-H
supplier device package
8-SOP Advance(5x5)
technology
MOSFET(Metal Oxide)
vgs (max)
В±20V
vgs(th) (max) @ id
4V @ 300ВµA
Время загрузки
23:47:07
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26